降低容性損耗Behlke MOSFET 低耦合電容件

降低容性損耗Behlke MOSFET 低耦合電容件

●具有真正繼電器特性的多功能高壓開關

●TTL信號可控制導通時間

●由于耦合電容較低，簡化了EMC并降低了容性損耗

●LC2技術具有最高的瞬態(tài)抗擾度

應用筆記一:

C3產(chǎn)品組的開關針對控制側和接地的耦合電容進行了優(yōu)化。低耦合電容是高重復率下高效工作的關鍵。考慮到低噪聲發(fā)射、良好的EMC行為、穩(wěn)定的操作和高開關速度，減小的耦合電容也是期望的。LC和LC2開關都能很好地滿足這些要求。但如果是最高開關頻率(%3E 300千赫)，那么開關系列LC是不錯的選擇。LC系列的缺點是其有限的瞬態(tài)抗擾性，這使得它們對火花放電、短路、不穩(wěn)定的負載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對敏感。與此相反，LC2系列開關設計用于惡劣工作條件下的中等開關頻率(%3C 300 kHz)。LC2開關對不穩(wěn)定負載(例如等離子體負載)和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。在其散熱能力范圍內(nèi)，它們可以抵抗火花放電、短路和過壓瞬變。

應用筆記二:

BEHLKE固態(tài)開關具有上升和下降時間。如果您的應用不需要全切換速度，我們建議您使用速度限制選項S-TT(上升和下降時間大約慢。50%)，結合輸入低通濾波器選項LP。速度限制選項有助于最小化快速高壓脈沖電路的高頻困難(例如自振蕩、自重新觸發(fā)、振鈴等)。)并從總體上簡化EMC設計。

應用附注三:

快速MOSFET開關對來自未箝位感性負載或過度布線電感的反向電流相對敏感。

反向電流可能會以不確定的方式開啟緩慢的本征(寄生)MOSFET二極管，并可能導致災難性的開關故障，尤其是在關斷階段以及高關斷電流期間。因此，當感性負載或高感性布線連接到開關時，建議始終將MOSFET開關與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(快速串聯(lián)阻塞二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管)結合使用。

這種保護二極管網(wǎng)絡可以通過BEHLKE FDA系列的單個二極管安裝在外部。它也可以作為選項I-FWDN集成到交換模塊中。請仔細閱讀一般說明。

產(chǎn)品代碼:

型號包含有關電壓、電流和開啟行為的編碼信息。前幾個數(shù)字代表以kV為單位的電壓，破折號前的最后一個數(shù)字表示導通行為(0 =固定導通時間，1 =可變導通時間)。破折號后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個破折號后的字母編碼。 HTS 31-12-LC示例:HTS =高壓晶體管開關，3 = 3 kV，1 =可變導通時間，12 = 120安培，LC =低耦合電容。

降低容性損耗Behlke MOSFET 低耦合電容件

LC2開關。強大、穩(wěn)健和短暫的證明。請向下查看選項列表。

產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導通時間，低耦合電容

1)  HTS 901-10-LC2，采用高壓瞬變防護LC2技術的低電容MOSFET開關。該開關旨在滿足非常苛刻的工業(yè)要求。隔離電壓%3E 150千伏
(可選高達300 kV)。帶有內(nèi)置控制單元(可更換)。90千伏直流電，100安導通電阻%3C 40歐姆。開啟上升時間%3C50 ns。
2)  HTS 901-10-LC2，同上，但帶有選項SEP-C(獨立控制單元)和選項DLC(直接液體冷卻)。
HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開關，帶選項th(管狀外殼)和選項DLC(直接液體冷卻)。100千伏直流電，200安一包。上升時間%3C最大50 ns。功耗30千瓦

漢達森*田*永*福

北京漢達森機械技術有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產(chǎn)品進口貿(mào)易的公司。主要產(chǎn)品有工業(yè)自動化設備、機電設備、液壓設備、電氣設備和零部件等產(chǎn)品。公司總部于2007年在德國成立。公司自成立以來，一直以德國公司的身份為國內(nèi)一些貿(mào)易商，設備商及終端客戶提供產(chǎn)品代購服務。目前我們是德國、意大利、瑞典等數(shù)家工業(yè)設備生產(chǎn)商的中國區(qū)總代理；德國、意大利十幾家工業(yè)設備企業(yè)的一級分銷商。優(yōu)勢品牌超過八十個。與歐洲區(qū)兩千個以上的供貨商有業(yè)務往來。

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